Semiconduttori, STMicroelectronics costruirà a Catania il primo impianto di produzione integrato di substrati di carburo di silicio

STMicroelectronics costruirà a Catania un impianto integrato per la produzione di substrati di carburo di silicio (SiC). Il progetto prevede un investimento da 730 milioni di euro in cinque anni, sostenuto finanziariamente dallo Stato italiano nell’ambito del PNRR, e creerà circa 700 posti di lavoro diretti. L’impianto, il primo in Europa di questo tipo, aiuterà l’azienda a rispondere alla domanda crescente di dispositivi SiC nelle applicazioni automobilistiche e industriali

Pubblicato il 05 Ott 2022

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STMicroelectronics, azienda che sviluppa e produce tecnologie a semiconduttori per tutte le applicazioni, costruirà a Catania un impianto integrato per la produzione di substrati di carburo di silicio (SiC) per sostenere la crescente domanda di dispositivi SiC da parte dei clienti della ST nelle applicazioni automobilistiche e industriali, in seguito alla transizione verso l’elettrificazione e alla ricerca di una maggiore efficienza.

Il progetto prevede un investimento da 730 milioni di euro in cinque anni, che sarà sostenuto finanziariamente dallo Stato italiano nell’ambito del Piano nazionale di ripresa e resilienza e creerà circa 700 posti di lavoro diretti aggiuntivi a regime. Da Bruxelles è arrivato l’ok a una tranche di aiuti di stato da 292,5 milioni.

Il progetto di STMicroelectronics

Il progetto prevede la costruzione impianto di produzione di substrati di SiC presso lo stabilimento ST di Catania, accanto all’attuale impianto di produzione di dispositivi SiC.

Il carburo di silicio è un materiale composto utilizzato per fabbricare wafer che fungono da base per specifici microchip utilizzati in dispositivi ad alte prestazioni, come i veicoli elettrici, le stazioni di ricarica rapida, le energie rinnovabili e altre applicazioni industriali.

Il progetto, che dovrebbe essere ultimato nel 2026 (ma ST prevede che la produzione avrà avvio già dal 2023), darà vita alla prima linea di produzione integrata di wafer epitassiali di carburo di silicio su scala industriale in Europa. Riunirà nello stesso impianto di produzione l’intera catena del valore del substrato di carburo di silicio, vale a dire dalla produzione della materia prima (polvere di SiC) alla fabbricazione dei wafer.

I wafer di carburo di silicio saranno pronti per un ulteriore utilizzo a seguito di un processo di trattamento aggiuntivo nello stabilimento, nell’ambito del quale sui wafer di SiC viene applicato uno specifico strato epitassiale che ne potenzia le capacità tecniche (i cosiddetti “epiwafer in carburo di silicio”).

“ST sta trasformando le sue attività produttive a livello globale, con una capacità aggiuntiva nella produzione a 300 mm e una forte attenzione ai semiconduttori ad ampio bandgap per sostenere l’ambizione di un fatturato di oltre 20 miliardi di dollari. Stiamo espandendo le nostre attività a Catania, il centro della nostra esperienza nei semiconduttori di potenza e dove abbiamo già integrato ricerca, sviluppo e produzione di SiC con una forte collaborazione con enti di ricerca, università e fornitori italiani”, commenta Jean-Marc Chery, Presidente and Chief Executive Officer di STMicroelectronic.

“Questo nuovo impianto sarà fondamentale per la nostra integrazione verticale nel settore SiC, rafforzando la nostra fornitura di substrati SiC mentre aumentiamo ulteriormente i volumi per supportare i nostri clienti del settore automobilistico e industriale nel loro passaggio all’elettrificazione e a una maggiore efficienza”, aggiunge.

Un investimento a favore dell’industria europea

Oltre a rispondere alla crescente domanda dei clienti ST, l’impianto rafforzerà la sicurezza dell’approvvigionamento, la resilienza e la sovranità digitale dell’Europa nelle tecnologie dei semiconduttori, in linea con le ambizioni stabilite nel Chips Act, e contribuirà a realizzare sia la transizione digitale che quella verde.

Nell’ambito dell’ottenimento degli aiuti di stato, infatti, STMicroelectronics si è impegnata a:

  • soddisfare gli ordini prioritari dell’UE in caso di carenza di approvvigionamento
  • investire nello sviluppo della prossima generazione di microchip (l’azienda è determinata a sviluppare wafer da 200 mm nel prossimo futuro)
  • continuare a contribuire al rafforzamento dell’ecosistema europeo dei semiconduttori

“La misura italiana approvata oggi rafforzerà la catena di approvvigionamento dei semiconduttori in Europa, aiutandoci a realizzare la transizione verde e digitale”, commenta Margrethe Vestager, Vicepresidente esecutiva responsabile della politica di concorrenza.

“Permetterà alla nostra industria di disporre di una fonte affidabile di substrati innovativi per chip efficienti sotto il profilo energetico, necessari per i veicoli elettrici, le stazioni di ricarica e altre applicazioni che svolgono un ruolo importante nella transizione verde. Creerà inoltre opportunità di lavoro altamente qualificate in Sicilia, limitando nel contempo eventuali distorsioni della concorrenza”, aggiunge.

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Michelle Crisantemi

Giornalista bilingue laureata presso la Kingston University di Londra. Da sempre appassionata di politica internazionale, ho vissuto, lavorato e studiato in Spagna, Regno Unito e Belgio, dove ho avuto diverse esperienze nella gestione di redazioni multimediali e nella correzione di contenuti per il Web. Nel 2018 ho lavorato come addetta stampa presso il Parlamento europeo, occupandomi di diritti umani e affari esteri. Rientrata in Italia nel 2019, ora scrivo prevalentemente di tecnologia e innovazione.

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